„Tunelová metoda“ aneb vývoj nových flash pamětí

Toshiba zveřejnila několik málo informací o nové technologii významně navyšující kapacitu dnešních flash pamětí, kterou vyvíjí. Technologie známá jako „Double Tunnel Layer Technology“ by se dala přeložit jako „technologie dvojitě vrstveného tunelu“.

V čem tkví ono tajemství? Výrobní proces spojuje vrstvu křemíkových nanokrystalů, jež napomáhají ukládat data do paměti, mezi pár oxidových tunelů, což má za následek (nejenom) efektivnější řízení toku elektrického proudu dovnitř i ven z křemíku, tunely jsou tlusté pouze 1nm. Výsledkem je ještě více miniaturizovanější (10nm) výrobní proces, který dovoluje uložit více dat na stejný prostor.

V kombinaci s lepším elektrickým tokem dovoluje „tunelová metoda“ vzniku až 100Gb (12,5GB) jednovrstevných flash pamětí. Tento zásadní objev je v brzkém stádiu vývoje, říká Toshiba. Nicméně, pochvalme Toshibu za úsilí, které vynakládá na vývoj této technologie. Současné NAND flash paměti, běžně používané například v iPodech či Solid State Drives, jsou postavené na 16Gbit procesu. Výrobci se běžně spoléhají na „složeniny“ z více čipů, čímž vznikají celky o vyšší kapacitě. V případě nového výrobního postupu Toshiby by to znamenalo opět další nárůst kapacity těchto výsledných flash pamětí.